Ausgegründet aus dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), produziert das junge Unternehmen Epitaxiewafer aus Galliumoxid für Leistungselektronik der nächsten Generation. Die neuen Halbleiter könnten die Ladezeit von E-Autos von 60 auf zehn Minuten verkürzen und die Kosten gegenüber Siliziumkarbid um bis zu 75 Prozent senken.
Fraunhofer IZM entwickelt kompakten Wechselrichter für E-Autos
Die Wafer werden in Industriequalität mit bis zu vier Zoll Durchmesser gefertigt. Bauelemente aus Galliumoxid halten höheren Spannungen stand und arbeiten effizienter als Siliziumkarbid oder Galliumnitrid. Das frische Kapital beschleunigt die Entwicklung, den Ausbau des Teams und stärkt die kommerzielle Präsenz in Europa und auf globalen Märkten.
Forscher entwickeln Schutzkonzept für IGBT aus Siliziumkarbid
Die Firmengründer vereint mehr als zehn Jahre Erfahrung mit Galliumoxid und seiner Abscheidung als definierte Kristallstruktur (Epitaxie). Zwei Patente und mehr 30 Publikationen gingen aus den Forschungen hervor. (HS)
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